一、招聘岗位 

      浙江大学“求是科创学者” 

二、重点引进方向

    （一）宽禁带半导体材料（包括但不限于以下方向）

      1.碳化硅单晶的生长         

      2.碳化硅薄膜的外延

      3.碳化硅中的杂质和缺陷     

      4.碳化硅的电化学          

      5.碳化硅的表面及界面       

      6.碳化硅的新颖原型器件   

      7.氮化镓薄膜的外延         

      8.半导体金刚石单晶薄膜的生长 

      9.氧化镓单晶的生长         

      10.氧化镓中的杂质和缺陷   

      11.宽禁带半导体材料与二维材料的前沿交叉

      12.宽禁带半导体材料的制备和加工设备

   （二）宽禁带半导体器件（包括但不限于以下方向）

      1.碳化硅功率器件           

      2.氮化镓功率器件

      3.氧化镓功率器件           

      4.其他宽禁带功率器件

      5.单芯片集成技术           

      6.多芯片集成技术

      7.芯片散热技术             

      8.射频功率芯片技术

      9.能量收集技术             

      10.宽禁带传感技术芯片

      11.其他宽禁带技术等

   （三）封装测试和应用（包括但不限于以下方向）

      1.功率器件的封装              

      2.射频器件的封装

      3.其他相关器件的封装          

      4.模块集成

      5.测试技术和应用技术

三、申报条件

     - 具有国际高水平大学助理教授相当学术水平，能独立发展一个学术方向，有潜力成长为学术带头人；

     - 年龄在35周岁以内，在海内外高水平大学或研究机构获得博士学位，具有相关的专业背景和（博士后）工作经历，能全职在科创中心工作。特别优秀者，年龄可适当放宽。

四、申请材料

      代表性成果附件（如：期刊和会议论文、专著、授权发明专利、会议特邀学术报告等）；

      应聘者请通过本页面投递简历。