一、课题组简介

本研究组隶属于浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。该研究室依托浙江大学硅材料国家重点实验室，在著名半导体材料专家杨德仁院士指导下开展工作，研究室主任为皮孝东教授。该研究院获批浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室。

课题组带头人：韩学峰“科创百人计划”研究员 （求是科创学者）

2010年毕业于北京化工大学材料科学与工程学院并获得学士学位，2016年2月于韩国首尔大学（SNU）获得材料科学与工程博士学位，随后在首尔大学新素材研究所（RIAM）展开博士后研究。2016年7月在日本九州大学应用力学研究所从事博士后研究，师从国际知名晶体生长学者Koichi Kakimoto教授。2020年受聘于法国原子能和替代能源委员会（CEA）,于法国格勒诺布尔阿尔卑斯大学（UGA）从事博士后研究，师从JCG编辑Thierry Duffar教授。 2021年加入浙江大学杭州国际科创中心。通过参与韩国，日本以及法国政府多项研究课题，参加晶体生长相关国际学术会议14次，中、日、韩国内学术会议二十余次。发表SCI论文18篇，其中第一作者及通讯作者10篇，长期受邀担任 《Journal of Crystal Growth》，《Japanese Journal of Applied Physics》，《Crystal Research and Technology》, 《Crystals》 等SCI期刊审稿人。

二、重点引进方向

宽禁带半导体材料与设备模拟计算

方向1： 碳化硅单晶生长过程计算

      碳化硅生长过程中热场，电磁场，流场以及化学反应的模拟计算。

方向2：碳化硅外延生长过程计算

碳化硅外延生长过程中流场、热场，外延生长速率及化学反应的模拟计算。

方向3：碳化硅材料分子尺度计算（KMC, MD）

碳化硅晶体生长过程中晶核分布和结晶方向等微观尺度模拟计算。

三、申请条件

1. 具有博士学位，品学兼优，身心健康；

2. 具有材料、物理、化学等学科背景；

3. 近三年曾作为第一作者至少发表了1 篇具有一定影响力的研究论文；

4. 具有良好的英语听说读写能力；

5. 近三年内获得博士学位，品学兼优，身心健康，年龄原则上不超过35周岁；

6. 熟悉CFD理论以及掌握一种编程方法或有开源CFD程序开发经验者优先。

四、待遇及保障条件

1.根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬（含地方政府人才补助），具体面议（应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元）；

2.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区分别给予相应配套资助；

3.提供一流的实验与科学研究条件；

4.协助申请杭州市、萧山区人才配套用房；

5.工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心“求是科创学者”岗位或技术开发岗位；

6.在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴。

五、申请材料

1.个人简历：学习工作经历、主要研究工作内容等；

2.表明研究能力和学术水平的成果（如：获奖情况、鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料；

申请人将以上材料电子版发送至科创中心人力资源部邮箱：hr-hic@zju.edu.cn，附件和邮件主题均以“韩学峰课题组博士后+姓名”标明。

六、联系方式

联系人：叶老师

联系电话：0571-82491972

地址：浙江省杭州市萧山区建设三路733号