一、课题组简介

本研究组隶属于浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院半导体材料研究室。该研究室在著名半导体材料专家杨德仁院士指导下开展工作，研究室主任为皮孝东教授。

课题组带头人：宋立辉“科创百人计划”研究员 （求是科创学者）

2011年毕业于浙江大学光电信息学院和新南威尔士大学光伏与可再生能源学院并获得双学士学位，2015年9月于澳大利亚新南威尔士大学获得博士学位，师从国际知名硅材料研究学者Stuart Wenham教授。随后在杭州电子科技大学任职副教授。2021年加入浙江大学杭州国际科创中心，担任研究员（求是科创学者）。近五年通过国家自然科学基金，浙江省基础科研经费项目，浙江大学开放课题等项目资助，发表SCI论文30余篇，其中第一作者及通讯作者16篇，长期受邀担任 《Progress in Photovoltaics》，《Solar energy》，《Applied surface science》 等SCI期刊的审稿人。

二、重点引进方向

宽禁带半导体材料碳化硅的缺陷工程与杂质调控（有半导体材料研究经验者即可）

方向1： 探索碳化硅材料中缺陷与杂质的基本性质

    碳化硅生长过程中会产生位错，层错，点缺陷等多种缺陷，需要对这些缺陷的基本性质进行表征并阐明其机理。

方向2：探索碳化硅材料中缺陷与杂质的检测方法

寻找科学的检测方法来表征碳化硅材料中的缺陷与杂质以及它们的生长机理。

方向3：探索碳化硅材料中缺陷与杂质的消除或钝化方法

寻找碳化硅材料中缺陷与杂质的有效消除或钝化方法并阐明其机理。

三、申请条件

1.近五年内获得博士学位，品学兼优，身心健康，年龄原则上不超过35周岁；

2.保证全职从事博士后研究工作；

3.具有相关学科背景和科研经验，从事过交叉学科研究者优先考虑；

4.具有良好的团队合作意识和较强的独立工作能力；

5.具有良好的英语听说读写能力；

四、待遇及保障条件

 1.根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬（含地方政府人才补助），具体面议（应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元）；
    2.对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区分别给予相应配套资助；
    3.提供一流的实验与科学研究条件；
    4.协助申请杭州市、萧山区人才配套用房；
    5.工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心“求是科创学者”岗位或技术开发岗位；
    6.在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴。

五、申请材料

1.个人简历：学习工作经历、主要研究工作内容等；

2.表明研究能力和学术水平的成果（如：获奖情况、鉴定、项目、学术论文等）及佐证材料；

申请人将以上材料电子版发送至科创中心宋老师邮箱：hr-hic@zju.edu.cn，附件和邮件主题均以“宋立辉课题组博士后+姓名”标明。

六、联系方式

联系人：叶老师

联系电话：0571-82491972

地址：浙江省杭州市萧山区建设三路733号